性别

女

出生年月

1994.05

职称

特聘七级副教授

学历（学位）

博士

所属院系

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导师类别

硕导

行政职务

无

招生专业

微电子、电子科学与技术、新一代电子信息技术、物理、材料等专业

研究方向

纳米器件与电路设计、三维架构闪存器件与芯片、新型低功耗晶体管等

联系方式

qw.wang@qust.edu.cn

个人简历（包括近期科研项目）

学习研究经历：

2017/09 – 2019/06  山东大学，物理学院，硕士

2019/06 – 2022/06  山东大学，信息科学与工程学院，博士

2022/06 – 至今 kaiyun官方网站下载手机网页，kaiyun官方网站下载手机网页，特聘七级副教授

主要研究方向：

纳米器件与电路设计、三维架构闪存器件与芯片、新型低功耗晶体管、新型半导体材料、第一性原理计算等。欢迎电子信息、微电子、物理、材料等专业同学报考课题组研究生，每年招收1~2名。

科研项目与主要成果：

主持山东省自然科学基金青年项目1项；参与国家自然科学重点项目1项，国家自然科学基金委面上项目1项，山东省自然科学基金重大基础研究项目1项，山东省高等学校“青创团队计划”1项。

在IEEE IEDM, IEEE Trans. Electron Devices, ACS Applied Nano Materials, Appl. Phys. Express等国际会议和期刊上发表论文多篇；获得国家发明专利2项。

（一）主持科研项目

山东省自然科学青年基金，ZR2023QF076，低功耗冷源场效应晶体管的理论研究，2024.01-2026.12，15万，在研

（二）参与科研项目

国家自然科学基金重点项目, 62034006, 面向科学计算的存算一体化闪存器件的研究, 2021.01-2025.12，298万，在研

国家自然科学基金面上项目, 62174100, 陡亚阈值摆幅有机场效应晶体管设计：二维有机框架策略, 2022.01-2025.12，57万元，在研

山东省自然科学基金重大基础研究项目，ZR2023ZD06，领域知识与强化学习共融的纳米尺度模拟集成电路智能优化理论与应用，2024.01-2026.12，160万，在研

山东省高等学校“青创团队计划”，2023KJ028，感存算融合光电忆阻技术研究，在研

（三）代表性论著

1. Q.W. Wang, J. Chen^*, Cold Source Engineering towards Sub-60 mV/dec p-Type Field-effect-transistors (pFETs): Materials, Structures, and Doping Optimizations. IEDM, 2020, pp. 22.4.1-22.4.4. (微电子顶级会议)

2. Q.W. Wang, J. Chen^*, Tunneling Junction as Cold Source: Toward Steep-Slope Field-Effect Transistors Based on Monolayer MoS₂. IEEE Trans. Electron Devices, 2021, 68, 9, pp. 4758-4761. (Top期刊)

3. Q.W. Wang, J. Chen^*, A Computational Study on Functionalized MoS₂ Nanoribbon for Intrinsic Cold Source Transistor. ACS Appl. Nano Mater., 2021, 5, 1, pp. 1078.

4. Q.W. Wang, J. Chen^*, Strain Engineered C₃₁ Field-effect-transistors: A New Strategy to Break 60 mV/decade by Using Electron Injection from Intrinsic Isolated States. Appl. Phys. Express, 2021, 14, pp. 074003.

5. Q.W. Wang, J. Chen^*, P-type cold-source field-effect transistors with TcX₂ and ReX₂ (X = S, Se) cold source electrodes: A computational study. Chinese Phys. B, 2023, 32, 12, pp. 127203.

6. Q.W. Wang, J. Chen^*, Impacts of Biaxial Tensile Strain in Double-gate Tunneling Field-effect-transistor (DG-TFET) with a Monolayer WSe₂ Channel, SNW, 2020, pp. 103-104.

7. Q.W. Wang, J. Chen*, Impacts of Biaxial Tensile Strain in Double-gate Tunneling Field-effect-transistor (DG-TFET) with a Monolayer WSe₂ Channel, SNW, 2020, pp. 103-104.

（四）专利

1. 陈杰智，汪倩文，一种数据检索阵列（已授权：ZL 2020 1 0454479. 1）

2. 陈杰智，汪倩文，一种逻辑门的构建方法（已公开：202110794885. 7）

3. 陈杰智，汪倩文，詹学鹏，纪志罡，半导体单元器件、半导体芯片系统及PUF信息处理器（已授权：ZL 2019 1 0875894.1）

（五）奖励

山东省优秀博士学位论文

山东大学优秀博士学位论文

山东大学优秀毕业生